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TrendForce集邦咨询认为，NANDFlash市场供需结构将有望在25年下半年显著改善，包含原厂减产、智能手机库存去化、AI及DeepSeek效应等因素将推升NANDFlash需求，从而缓解供过于求的局面，预期下半年将迎来价格回升。根据闪徳资讯，随着NANDFlash厂商积极减产以维持供需秩序，NANDFlash下游有望于2025年第二季度进入补库存周期，NANDFlash合同价也有望于2025年第二季度开始上涨，涨价趋势至少可持续至2025年底，NANDFlash下半年有望转为供不应求。此外，自2024年第四季起，中国政府持续推出的以旧换新补贴政策有效地刺激智能手机销量，加速NANDFlash库存去化速度。智能手机品牌厂有机会在2025年第二季扩大低价库存，带动需求动能。
根据闪存市场，2025年第一季度受2024年末库存调整影响，消费级DRAM价格小幅下跌（约3-5%），企业级产品因需求稳定保持平稳；2025年第二季度AI芯片缺货缓解带动HBM（高带宽内存）配套DRAM需求，价格环比上涨5-8%；2025年第三季度传统消费电子旺季备货启动，叠加手机厂商提前采购LPDDR6，价格涨幅将扩大至10-12%；2025年第四季度供需趋于平衡，价格高位震荡，全年综合涨幅预计达15-18%。根据闪徳资讯，2025年2月24日至2025年2月28日当周，DRAM市场保持稳定，交易较前两周有所提升。D3、D4现货供应充足，价格大幅上涨的可能性较低。D5上周现货颗粒价格有所上调，但加工条价格上涨空间有限，且市场对D5的消耗仍未达到预期水平，短期价格波动有限。
三星发布了9100PROPCIe5.0NVMeSSD。9100PROSSD采用了PCIe5.0x4接口，外形为M.22280规格，提供了1TB、2TB、4TB和8TB四种容量可选。美光宣布，已向生态系统合作伙伴及部分客户提供基于1γ节点、第六代（10nm级）DRAM节点的DDR5内存样品。基于1γ节点的16GbDDR5产品DDR5内存速度可达9200MT/s，较上一代提升15%，可满足数据中心、端侧AI设备对高性能计算的需求。
据韩国媒体ZDNetKorea2025年2月24日报道称，三星电子近期已与中国存储芯片厂商长江存储签署了开发堆叠400多层NANDFlash所需的“混合键合”（HybridBonding）技术的专利许可协议，以便从其第10代（V10）NANDFlash产品（430层）开始使用该专利技术来进行制造。该报道称，三星之所以选择向长江存储获取“混合键合”专利授权，主要由于目前长江存储在“混合键合”技术方面处于全球领先地位。三星经过评估认为，从下一代V10NAND开始，其已经无法再避免长江存储专利的影响。
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