前沿导读
据韩国《东亚日报》、《亚洲日报》相继发文抱怨称，自从美国在2022年以国家安全名义对中国芯片产业链进行管制措施之后，在国际主流的半导体设备生产企业当中，来自于韩国的设备企业遭受到了前所未有的打击。
并且随着中国在半导体产业上面进行国产化发展，中国企业已经开发出了多款高水平的制造设备。这些来自于中国企业的自主设备，优先取代了技术水平落后的韩国制造设备。
尽管韩国企业提供的大部分制造设备属于通用型设备，不在美国的管制措施当中，但是中国企业依然毫不犹豫的选择采用国产设备，这也导致了韩国设备企业的出口金额，比以往同期暴跌20%以上。
重塑产业链
根据行业报告显示，韩国企业在对华半导体设备的出口上面，其核心设备的出口率从巅峰时期的18.5%，直接下滑到12%。对于这种尖端的核心制造设备来说，其技术含量、与各环节之间的匹配、与供应链之间的兼容程度，都是需要同步发展的。
一旦韩国的核心制造设备在出口数量上面的下滑，这标志着中国企业不但在制造设备上面有所突破，而且还在配套的产业链上面也一并进行了同步的技术发展。
韩国曾经在全球半导体设备的供应商当中，位列第二梯队，优势较为明显。但是在失去了中国市场之后，或者说中国市场选择采用自主的制造设备之后，韩国设备企业的市场根基正在被大幅度的动摇。
以三星、sk海力士为主的韩国头部芯片企业，在多年前就已经跟中国市场合作，在中国建设了生产线工厂。三星在陕西西安建设了存储器工厂，其主要制造14nm的闪存芯片，sk海力士在江苏无锡建设了18nm的内存生产线。并且韩国企业在华建设的制造工厂，已经在产能上面占据了重要地位。
根据行业分析数据显示，三星在西安的闪存工厂，其产能占据了三星闪存总产能的40%，占据全球闪存总产能的10%。而海力士在无锡的内存工厂，其产能占据海力士总产能的50%以上，占据了全球内存总产能的15%。
可以说，韩国企业在中国建设的存储器生产线，已经成为了其产能扩充的重要地点，而且韩企在华建设的制造工厂，在成本、产能、销售渠道等多方面都有着明显优势。
在美国对中国企业进行制裁之后，同时也对韩国的企业进行施压，禁止其与中国企业合作，禁止其出口给中国企业技术设备。哪怕是这些韩企的在华工厂，也不允许获得海外先进的制造设备，更不允许将现有的制造设备提供给中国的相关企业。
宁可让这些设备停留在生产线上面“吃灰”，也不允许这些设备给中国市场服务。
正是由于美国单方面的对中国企业进行了全面封锁，所以给了中国企业在制造设备上面的发展窗口期。而韩国企业曾经在中国建设的存储器工厂，成为了中国自主设备进行市场化发展的突破口。
全面推动自主设备
在美国BIS政策的持续压制下，三星、海力士的在华工厂无法获得技术升级所需的先进制造设备，导致双方的新技术存储芯片无法在产能上面进行扩充。
根据相关企业的进出口财报显示，三星在西安的工厂曾架设了800多台来自于美国的高水平制造设备。其中包括了制造32层芯片的Lam Research 2300 Kiyo刻蚀机；制造64层芯片的AMAT Centura5200 PVD系统；制造128层闪存芯片的Teradyne UltraFLEX测试机。
这些设备虽然老旧，而且无法直接应用在先进存储芯片的制造当中，但是这些设备的留存，给中国自主设备提供了一个非常清晰的验证思路。并且海力士在无锡的工厂当中，还保留着曾经从美国采购的刻蚀机产品，也给了中国技术团队一定的样本方案。
由中微半导体开发的部分刻蚀机产品，已经被安放在了三星在华工厂的闪存生产线当中，替换掉了曾经来自于韩国和美国的技术设备。并且由中国企业制造的刻蚀机产品，其关键接触孔刻蚀速率达到美国AMAT设备的96%，已经具备了充分的量产能力。
来自于沈阳拓荆公司的PECVD设备，被安放在了海力士无锡工厂的18nm内存生产线当中，其膜厚均匀性保持在了±1.5%，气体沉积速率为45nm/分钟。而来自于日本的日立国际电气所推出的薄膜沉积设备，其气体沉积速率也才达到了50nm/分钟，中国设备的技术追赶速度非常迅猛，已经非常接近国际主流水平了。
根据财联社最新的报道信息显示：
在中国政策的推动下，三星、海力士在华销售情况迎来了大幅度增长。三星对华出口额同比增长超过50%，甚至已经超过了对美国市场的出口金额。
而海力士的无锡工厂也扭亏为盈，其在华销售公司在销售额和利润上面提升幅度超过60%。
在美国多方面的制裁下，韩国企业在华工厂依然可以获得逆势增长的情况。一方面是因为中国在消费产品上面进行国家补贴的政策推动，另一方面是因为韩国企业在华工厂的制造设备中，绝大部分需要通过进口来获取的制造设备，已经被来自于中国企业的自主制造设备进行了替换。
再加上美国的限制政策，美国、韩国、日本国家的企业均无法将自家的制造设备输送到在中国建设的分工厂中。直接将自家企业在华建设的工厂，拱手让给了中国企业，给了中国企业将自主设备架设到成熟生产线上面的机会。